为反超三星，SK海力士或在HBM4E上引入台积电3nm工艺

在数据中心大量需要HBM内存的为反情况下，三星可以说是超星出尽了风头。但其实，海力SK海力士才是士或上引HBM市场的老大。去年第三季度，入台SK海力士的积电营收市占率达57%，而三星和美光则分别只有22%和21%。工艺但在市场风评中，为反SK海力士的超星HBM4性能却不如三星，这使得他们有些尴尬，海力在HBM4E上将着重提升性能，士或上引以夺回被三星抢走的入台风头。

SK海力士在CES2026上展示的积电HBM4

据韩国《朝鲜日报》报道，SK海力士正在考虑引入台积电的工艺3nm工艺作为HBM4E逻辑芯片的主要制造工艺，因为他们提供给英伟达的为反HBM4采用10nm级第五代（1b）DRAM核心芯片和基于台积电12nm工艺的逻辑芯片，而三星则是10nm级第六代（1c）DRAM工艺的核心芯片和4nm工艺的逻辑芯片，从制程上就可以看出三星的HBM4性能会更优秀，三星也是业内首个量产出货HBM4的公司，结结实实地抢了SK海力士的风头。 

在HBM4产品上，SK海力士是英伟达的最大供应商。业内人士称，其拿下了英伟达HBM订单的至少2/3，远高于三星。但毕竟SK海力士要大批量供货，所以把稳定性和良率放在重点。现在SK海力士看到自己落后了这么多，也决心提高自己产品的性能，于是有引入台积电3nm制程生产逻辑芯片的打算。

不过业内人士指出，在目前“定制化HBM”风潮下，客户会选择根据自己的需求来定制逻辑芯片，所以不管是3nm还是12nm制程都会被考虑进来。考虑到英伟达下一代的顶级AI芯片Vera Rubin Ultra版本大概率会用到更先进的HBM4E，SK海力士如果不希望订单被三星抢走，上3nm制程会是必选项。三星都已经在英伟达GTC2026大会上秀出自己的HBM4E了，SK海力士看着能不着急吗？